收藏本站
NTTFS4937N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
C iss
C oss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
11
10
9
8
7
6
5
4
3
T J = 25 ° C
Qgd
Qgs
QT
600
400
200
0
0
5
C rss
10
15
20
25
30
2
1
0
0
2
4
6
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 20 A
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
T J = 25 ° C
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
70
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 m s
60
50
I D = 37 A
10
100 m s
1 ms
40
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
30
20
10
Package Limit
0.01
0.01 0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTTFS4939NTAG MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
NTTFS4941NTAG MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
NTTFS4985NFTAG MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN
NTTFS5116PLTAG MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
NTTFS5811NLTWG MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
NTTFS5820NLTWG MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
NTTFS5826NLTWG MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN
NTTS2P02R2 MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
相关代理商/技术参数
NTTFS4937NTWG 功能描述:MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4939N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, 8FL
NTTFS4939NTAG 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4939NTWG 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4941N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N−Channel, μ8FL
NTTFS4941NTAG 功能描述:MOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4941NTWG 功能描述:MOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4943N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N−Channel, μ8FL